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VI20100C-M3/4W

VI20100C-M3/4W

Solo per riferimento

Numero parte VI20100C-M3/4W
PNEDA Part # VI20100C-M3-4W
Descrizione DIODE SCHOTTKY 20A 100V TO-262AA
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.564
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

VI20100C-M3/4W Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteVI20100C-M3/4W
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
VI20100C-M3/4W, VI20100C-M3/4W Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 135,15 KB)
PDFVI20100CHM3/4W Datasheet Copertura
VI20100CHM3/4W Datasheet Pagina 2 VI20100CHM3/4W Datasheet Pagina 3 VI20100CHM3/4W Datasheet Pagina 4 VI20100CHM3/4W Datasheet Pagina 5

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VI20100C-M3/4W Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
SerieAutomotive, AEC-Q101, TMBS®
Configurazione diodi1 Pair Common Cathode
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)100V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)10A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If790mV @ 10A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr800µA @ 100V
Temperatura di esercizio - Giunzione-40°C ~ 150°C
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-262AA

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

18A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.15V @ 20A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

25ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 50V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Pacchetto dispositivo fornitore

ITO-220AB

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®, TMBS®

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.15V @ 5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 150V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 175°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263AC (SMPD)

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Produttore

Powerex Inc.

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1800V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

1200A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 3000A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

22µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

200mA @ 1800V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

POW-R-BLOK™ Module

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

FERD (Field Effect Rectifier Diode)

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

15A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

585mV @ 15A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

170µA @ 60V

Temperatura di esercizio - Giunzione

175°C (Max)

Tipo di montaggio

Through Hole

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Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

900mV @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 150V

Temperatura di esercizio - Giunzione

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Through Hole

Pacchetto / Custodia

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