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VEC2616-TL-W

VEC2616-TL-W

Solo per riferimento

Numero parte VEC2616-TL-W
PNEDA Part # VEC2616-TL-W
Descrizione MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 43.326
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

VEC2616-TL-W Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteVEC2616-TL-W
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
VEC2616-TL-W, VEC2616-TL-W Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 1.077,57 KB)
PDFVEC2616-TL-W-Z Datasheet Copertura
VEC2616-TL-W-Z Datasheet Pagina 2 VEC2616-TL-W-Z Datasheet Pagina 3 VEC2616-TL-W-Z Datasheet Pagina 4 VEC2616-TL-W-Z Datasheet Pagina 5 VEC2616-TL-W-Z Datasheet Pagina 6 VEC2616-TL-W-Z Datasheet Pagina 7

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VEC2616-TL-W Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETLogic Level Gate, 4V Drive
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3A, 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds505pF @ 20V
Potenza - Max1W
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-28FL/VEC8

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AO6802

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 15V

Potenza - Max

1.15W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-74, SOT-457

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSOP

IRF7755GTRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

51mOhm @ 3.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1090pF @ 15V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

KGF16N05D-400

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Source

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

5.5V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

16A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.95mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

0.9V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 5V

Potenza - Max

2.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

20-UFLGA, CSP

Pacchetto dispositivo fornitore

20-WLCSP (2.48x1.17)

SI4947ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 3.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

DMN2029USD-13

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18.6nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1171pF @ 10V

Potenza - Max

1.2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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