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VEC2616-TL-H-Z

VEC2616-TL-H-Z

Solo per riferimento

Numero parte VEC2616-TL-H-Z
PNEDA Part # VEC2616-TL-H-Z
Descrizione MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.624
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

VEC2616-TL-H-Z Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteVEC2616-TL-H-Z
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
VEC2616-TL-H-Z, VEC2616-TL-H-Z Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 1.077,57 KB)
PDFVEC2616-TL-W-Z Datasheet Copertura
VEC2616-TL-W-Z Datasheet Pagina 2 VEC2616-TL-W-Z Datasheet Pagina 3 VEC2616-TL-W-Z Datasheet Pagina 4 VEC2616-TL-W-Z Datasheet Pagina 5 VEC2616-TL-W-Z Datasheet Pagina 6 VEC2616-TL-W-Z Datasheet Pagina 7

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VEC2616-TL-H-Z Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETLogic Level Gate, 4V Drive
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3A, 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds505pF @ 20V
Potenza - Max1W
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-28FL/VEC8

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

140mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10Ohm @ 140mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.31nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

12pF @ 10V

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

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Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

35V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

58mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.6nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 10V

Potenza - Max

1.4W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

120pF @ 25V

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

NTUD3174NZT5G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

220mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

12.5pF @ 15V

Potenza - Max

125mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-963

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A, 6.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 20V

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