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V40170C-M3/4W

V40170C-M3/4W

Solo per riferimento

Numero parte V40170C-M3/4W
PNEDA Part # V40170C-M3-4W
Descrizione DIODE ARRAY SCHOTTKY 170V TO220
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.316
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 17 - giu 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

V40170C-M3/4W Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteV40170C-M3/4W
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
V40170C-M3/4W, V40170C-M3/4W Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 131,68 KB)
PDFV40170C-M3/4W Datasheet Copertura
V40170C-M3/4W Datasheet Pagina 2 V40170C-M3/4W Datasheet Pagina 3 V40170C-M3/4W Datasheet Pagina 4

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  • V40170C-M3/4W Distributor

V40170C-M3/4W Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
SerieTMBS®
Configurazione diodi1 Pair Common Cathode
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)170V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)20A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.2V @ 20A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr250µA @ 170V
Temperatura di esercizio - Giunzione-40°C ~ 175°C
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB

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Serie

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Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

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Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

200A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 100A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

75ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

25µA @ 50V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Three Tower

Pacchetto dispositivo fornitore

Three Tower

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Serie

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Configurazione diodi

-

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1000V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

75A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 18A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

2µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

6µA @ 1000V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

400A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

880mV @ 400A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5mA @ 150V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Three Tower

Pacchetto dispositivo fornitore

Three Tower

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

FRED Pt®

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

975mV @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 200V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 200V

Temperatura di esercizio - Giunzione

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