V20120SG-M3/4W
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| Numero parte | V20120SG-M3/4W |
| PNEDA Part # | V20120SG-M3-4W |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-220AB |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.776 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 14 - mag 19 (Scegli Spedizione rapida) |
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V20120SG-M3/4W Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | V20120SG-M3/4W |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
V20120SG-M3/4W, V20120SG-M3/4W Datasheet
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V20120SG-M3/4W Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 120V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 20A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.33V @ 20A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 250µA @ 120V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1600V Corrente - Media Rettificata (Io) 65A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.17V @ 65A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 1600V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247AD Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 90V Corrente - Media Rettificata (Io) 3.3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 850mV @ 3A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1mA @ 90V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia C-16, Axial Pacchetto dispositivo fornitore C-16 Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C |
Produttore Semtech Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 400V Corrente - Media Rettificata (Io) 5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 3A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 2µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 1µA @ 400V Capacità @ Vr, F 92pF @ 5V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia Axial Pacchetto dispositivo fornitore Axial Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 200mA Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr) 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 100nA @ 200V Capacità @ Vr, F 5pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 200V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia R-1, Axial Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione 150°C (Max) |
