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UTV010

UTV010

Solo per riferimento

Numero parte UTV010
PNEDA Part # UTV010
Descrizione RF TRANS NPN 24V 860MHZ 55FT
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.650
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 16 - giu 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

UTV010 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteUTV010
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF

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UTV010 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)24V
Frequenza - Transizione470MHz ~ 860MHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno11.5dB
Potenza - Max15W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce15 @ 200mA, 5V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)1.25A
Temperatura di esercizio200°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis, Stud Mount
Pacchetto / Custodia55FT
Pacchetto dispositivo fornitore55FT

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Produttore

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

10.16dB ~ 10.25dB

Potenza - Max

50W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

5.3A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MS2205

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

45V

Frequenza - Transizione

1.025GHz ~ 1.15GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

9.5dB

Potenza - Max

21.9W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 100mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M105

Pacchetto dispositivo fornitore

M105

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

9GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz

Guadagno

-

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 20mA, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

70mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-75, SOT-416

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-75

BFU550AR

NXP

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

11GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.6dB @ 900MHz

Guadagno

18dB

Potenza - Max

450mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 15mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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MT3S113TU,LF

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5.3V

Frequenza - Transizione

11.2GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.45dB @ 1GHz

Guadagno

12.5dB

Potenza - Max

900mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 30mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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