US1MFA
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| Numero parte | US1MFA |
| PNEDA Part # | US1MFA |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123FA |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.902 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 9 - mag 14 (Scegli Spedizione rapida) |
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US1MFA Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | US1MFA |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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US1MFA Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 1000V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 1A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
| Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOD-123W |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-123FA |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 30V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 470mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 30V Capacità @ Vr, F 230pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 0502 (1406 Metric) Pacchetto dispositivo fornitore CLP1406-2L Temperatura di esercizio - Giunzione 150°C (Max) |
Produttore Powerex Inc. Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 400V Corrente - Media Rettificata (Io) 250A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 800A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 11µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 50mA @ 400V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia DO-205AB, DO-9, Stud Pacchetto dispositivo fornitore DO-205AB, DO-9 Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 190°C |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 3A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 600V Capacità @ Vr, F 35pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-201AD, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-201AD Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 400V Corrente - Media Rettificata (Io) 1.5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 1.5A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 1µA @ 400V Capacità @ Vr, F 21pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOD-123W Pacchetto dispositivo fornitore SOD-123W Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Infineon Technologies Serie CoolSiC™+ Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 5A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 5A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 70µA @ 600V Capacità @ Vr, F 240pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-2 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO220-2 Full Pack Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
