UPR5E3/TR13
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| Numero parte | UPR5E3/TR13 |
| PNEDA Part # | UPR5E3-TR13 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 50V 2.5A DO216 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.200 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 19 - giu 24 (Scegli Spedizione rapida) |
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UPR5E3/TR13 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | UPR5E3/TR13 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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UPR5E3/TR13 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 50V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 2.5A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 2A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 50V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-216AA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-216 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1200V Corrente - Media Rettificata (Io) 171A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 20mA @ 1200V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Module Pacchetto dispositivo fornitore BG-PB34-1 Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 135°C |
Produttore SMC Diode Solutions Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 40V Corrente - Media Rettificata (Io) 1.1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 710mV @ 2A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1mA @ 40V Capacità @ Vr, F 55pF @ 5V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-204AL, DO-41, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-41 Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C |
Produttore Microsemi Corporation Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore Semtech Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 400V Corrente - Media Rettificata (Io) 15A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 9A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 150ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 1µA @ 400V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia Module Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore NXP USA Inc. Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 30V Corrente - Media Rettificata (Io) 200mA (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 800mV @ 100mA Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr) 5ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 2µA @ 25V Capacità @ Vr, F 10pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOD-110 Pacchetto dispositivo fornitore SOD110 Temperatura di esercizio - Giunzione 125°C (Max) |
