UPA2815T1S-E2-AT
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| Numero parte | UPA2815T1S-E2-AT |
| PNEDA Part # | UPA2815T1S-E2-AT |
| Descrizione | MOSFET P-CH 30V 21A 8HWSON |
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.176 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida) |
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UPA2815T1S-E2-AT Risorse
| Brand | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | UPA2815T1S-E2-AT |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
UPA2815T1S-E2-AT, UPA2815T1S-E2-AT Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 183,11 KB)
  
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UPA2815T1S-E2-AT Specifiche
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 21A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 21A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1760pF @ 10V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.5W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-HWSON (3.3x3.3) |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerWDFN |
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