UPA2670T1R-E2-AX
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| Numero parte | UPA2670T1R-E2-AX |
| PNEDA Part # | UPA2670T1R-E2-AX |
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON |
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.968 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida) |
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UPA2670T1R-E2-AX Risorse
| Brand | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | UPA2670T1R-E2-AX |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
UPA2670T1R-E2-AX, UPA2670T1R-E2-AX Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 261,35 KB)
  
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UPA2670T1R-E2-AX Specifiche
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate, 1.8V Drive |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 79mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.1nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 473pF @ 10V |
| Potenza - Max | 2.3W |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-WDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-HUSON (2x2) |
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