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UNR421900A

UNR421900A

Solo per riferimento

Numero parte UNR421900A
PNEDA Part # UNR421900A
Descrizione TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1
Produttore Panasonic Electronic Components
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.266
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

UNR421900A Risorse

Brand Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteUNR421900A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato
Datasheet
UNR421900A, UNR421900A Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 486,92 KB)
PDFUNR421L00A Datasheet Copertura
UNR421L00A Datasheet Pagina 2 UNR421L00A Datasheet Pagina 3 UNR421L00A Datasheet Pagina 4 UNR421L00A Datasheet Pagina 5 UNR421L00A Datasheet Pagina 6 UNR421L00A Datasheet Pagina 7 UNR421L00A Datasheet Pagina 8 UNR421L00A Datasheet Pagina 9 UNR421L00A Datasheet Pagina 10 UNR421L00A Datasheet Pagina 11

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UNR421900A Specifiche

ProduttorePanasonic Electronic Components
Serie-
Tipo di transistorNPN - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Resistenza - Base (R1)1 kOhms
Resistenza - Base Emettitore (R2)10 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 5mA, 10V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (Max)500nA
Frequenza - Transizione150MHz
Potenza - Max300mW
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia3-SSIP
Pacchetto dispositivo fornitoreNS-B1

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PDTC143ZMB,315

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

4.7 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA

Frequenza - Transizione

230MHz

Potenza - Max

250mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

3-XFDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

DFN1006B-3

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

47 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

250mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SMT3; MPAK

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

10 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Frequenza - Transizione

180MHz

Potenza - Max

150mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-75, SOT-416

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-75

PDTC143EU,115

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

4.7 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

4.7 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

200mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-70

DTD143ECT216

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

4.7 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

4.7 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

47 @ 50mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

200MHz

Potenza - Max

200mW

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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