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UMAF5817

UMAF5817

Solo per riferimento

Numero parte UMAF5817
PNEDA Part # UMAF5817
Descrizione DIODE SCHOTTKY 20V 1A ULTRAMITE
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.730
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 18 - lug 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

UMAF5817 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteUMAF5817
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
UMAF5817, UMAF5817 Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 303,58 KB)
PDFUMA5819 Datasheet Copertura
UMA5819 Datasheet Pagina 2 UMA5819 Datasheet Pagina 3

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UMAF5817 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)20V
Corrente - Media Rettificata (Io)1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If450mV @ 1A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr500µA @ 20V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaUltramite™
Pacchetto dispositivo fornitoreUltramite™
Temperatura di esercizio - Giunzione-50°C ~ 125°C

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

4A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.9V @ 4A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

130pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-2-2

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

BYT03-400

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

55ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

20µA @ 400V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-201AD, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-201AD

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

GP02-35-M3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

3500V

Corrente - Media Rettificata (Io)

250mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

3V @ 1A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

2µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 3500V

Capacità @ Vr, F

3pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AL, DO-41, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-204AL (DO-41)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

HER152G R0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 1.5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

35pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AC, DO-15, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-204AC (DO-15)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

GC15MPS12-220

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Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

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Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

82A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 15A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

14µA @ 1200V

Capacità @ Vr, F

1089pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-2

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

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