UGB8GTHE3/81
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| Numero parte | UGB8GTHE3/81 |
| PNEDA Part # | UGB8GTHE3-81 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.390 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 21 - giu 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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UGB8GTHE3/81 Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | UGB8GTHE3/81 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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UGB8GTHE3/81 Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 400V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 8A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 8A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
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Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 90V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 800mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 50µA @ 90V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
