UCC27211DR
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| Numero parte | UCC27211DR |
| PNEDA Part # | UCC27211DR |
| Descrizione | IC DVR HIGH/LOW SIDE 4A 8SOIC |
| Produttore | Texas Instruments |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 22.776 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 5 - mag 10 (Scegli Spedizione rapida) |
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UCC27211DR Risorse
| Brand | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | UCC27211DR |
| Categoria | Semiconduttori › CI di gestione dell'alimentazione › PMIC - Gate driver |
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UCC27211DR Specifiche
| Produttore | |
| Serie | - |
| Configurazione guidata | Half-Bridge |
| Tipo di canale | Independent |
| Numero di driver | 2 |
| Tipo di porta | N-Channel MOSFET |
| Tensione - Alimentazione | 8V ~ 17V |
| Tensione logica - VIL, VIH | 1.3V, 2.7V |
| Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) | 4A, 4A |
| Tipo di ingresso | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 120V |
| Tempo di salita / discesa (tipico) | 7.2ns, 5.5ns |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 140°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Configurazione guidata High-Side or Low-Side Tipo di canale Single Numero di driver 1 Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 12V ~ 20V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 3V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 250mA, 500mA Tipo di ingresso Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Tempo di salita / discesa (tipico) 80ns, 40ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 8-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 8-PDIP |
