U441
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| Numero parte | U441 |
| PNEDA Part # | U441 |
| Descrizione | JFET 2N-CH 25V TO-71 |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.996 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 1 - lug 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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U441 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | U441 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - JFET |
| Datasheet |
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U441 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | 25V |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | - |
| Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 6mA @ 10V |
| Corrente assorbita (Id) - Max | - |
| Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id | 1V @ 1nA |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3pF @ 10V |
| Resistenza - RDS (On) | - |
| Potenza - Max | 500mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-71-6 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET - Tensione - Guasto (V (BR) GSS) - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) - Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore TO-206AA (TO-18) |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 30V Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 50mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 4V @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 14pF @ 15V (VGS) Resistenza - RDS (On) 30 Ohms Potenza - Max 225mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236) |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 30V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 50mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10pF @ 12V (VGS) Resistenza - RDS (On) 30 Ohms Potenza - Max 350mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
Produttore NXP USA Inc. Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 25V Tensione Drain to Source (Vdss) 25V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 10mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 4V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 10V (VGS) Resistenza - RDS (On) 18 Ohms Potenza - Max 250mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23 (TO-236AB) |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) - Tensione Drain to Source (Vdss) 1200V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 1.5µA @ 1200V Corrente assorbita (Id) - Max 26A Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1550pF @ 19.5V (VGS) Resistenza - RDS (On) 100 mOhms Potenza - Max 190W Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO247-3 |
