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TT8J13TCR

TT8J13TCR

Solo per riferimento

Numero parte TT8J13TCR
PNEDA Part # TT8J13TCR
Descrizione MOSFET 2P-CH 12V 2.5A TSST8
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.294
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 15 - mag 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

TT8J13TCR Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteTT8J13TCR
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
TT8J13TCR, TT8J13TCR Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 2.441,7 KB)
PDFTT8J13TCR Datasheet Copertura
TT8J13TCR Datasheet Pagina 2 TT8J13TCR Datasheet Pagina 3 TT8J13TCR Datasheet Pagina 4 TT8J13TCR Datasheet Pagina 5 TT8J13TCR Datasheet Pagina 6 TT8J13TCR Datasheet Pagina 7 TT8J13TCR Datasheet Pagina 8 TT8J13TCR Datasheet Pagina 9 TT8J13TCR Datasheet Pagina 10 TT8J13TCR Datasheet Pagina 11

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TT8J13TCR Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate, 1.5V Drive
Tensione Drain to Source (Vdss)12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs62mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2000pF @ 6V
Potenza - Max1W
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSST

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

550pF @ 15V

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

SQJ990EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

34A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 6A, 10V, 19mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V, 15nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1390pF @ 25V, 650pF @ 25V

Potenza - Max

48W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® SO-8 Dual

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo FET

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

180A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

24-SMD, Gull Wing

Pacchetto dispositivo fornitore

24-SMD

BUK7K18-40EX

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

24.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.8nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

808pF @ 25V

Potenza - Max

38W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-1205, 8-LFPAK56

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 2.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 15V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

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