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TS10P07GHC2G

TS10P07GHC2G

Solo per riferimento

Numero parte TS10P07GHC2G
PNEDA Part # TS10P07GHC2G
Descrizione BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 10A TS-6P
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.570
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 14 - giu 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

TS10P07GHC2G Risorse

Brand Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteTS10P07GHC2G
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori a ponte

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TS10P07GHC2G Specifiche

ProduttoreTaiwan Semiconductor Corporation
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo di diodoSingle Phase
TecnologiaStandard
Tensione - Picco inverso (Max)1kV
Corrente - Media Rettificata (Io)10A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.1V @ 10A
Corrente - Perdita inversa @ Vr10µA @ 1000V
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia4-SIP, TS-6P
Pacchetto dispositivo fornitoreTS-6P

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-

Tipo di diodo

Single Phase

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Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

50A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 25A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 50V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, with Heat Sink

Pacchetto dispositivo fornitore

BR-L

KBJ602G

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

6A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 3A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 200V

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, KBJ

Pacchetto dispositivo fornitore

KBJ

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Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Three Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

55A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Picco inverso (Max)

1.2kV

Corrente - Media Rettificata (Io)

6.6A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

2.1V @ 4A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

200µA @ 1200V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1.5A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 1000V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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