TPS1101DR
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| Numero parte | TPS1101DR |
| PNEDA Part # | TPS1101DR |
| Descrizione | MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC |
| Produttore | Texas Instruments |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.640 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 3 - giu 8 (Scegli Spedizione rapida) |
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TPS1101DR Risorse
| Brand | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | TPS1101DR |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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TPS1101DR Specifiche
| Produttore | |
| Serie | - |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 15V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.3A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 2.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.25nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | +2V, -15V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 791mW (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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