TPC8A02-H(TE12L,Q)
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| Numero parte | TPC8A02-H(TE12L,Q) |
| PNEDA Part # | TPC8A02-H-TE12L-Q |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 16A SOP8 2-6J1B |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.140 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 14 - lug 19 (Scegli Spedizione rapida) |
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TPC8A02-H(TE12L Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | TPC8A02-H(TE12L,Q) |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
TPC8A02-H(TE12L, TPC8A02-H(TE12L Datasheet
(Totale pagine: 8, Dimensioni: 255,17 KB)
  
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TPC8A02-H(TE12L Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1970pF @ 10V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP (5.5x6.0) |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
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