TP65H070LDG
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| Numero parte | TP65H070LDG |
| PNEDA Part # | TP65H070LDG |
| Descrizione | 650 V 25 A GAN FET |
| Produttore | Transphorm |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.796 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 2 - giu 7 (Scegli Spedizione rapida) |
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TP65H070LDG Risorse
| Brand | Transphorm |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | TP65H070LDG |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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TP65H070LDG Specifiche
| Produttore | Transphorm |
| Serie | TP65H070L |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 16A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.8V @ 700µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 400V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 96W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 3-PQFN (8x8) |
| Pacchetto / Custodia | 3-PowerDFN |
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