TK160F10N1L,LQ
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| Numero parte | TK160F10N1L,LQ |
| PNEDA Part # | TK160F10N1L-LQ |
| Descrizione | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.010 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 19 - giu 24 (Scegli Spedizione rapida) |
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TK160F10N1L Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | TK160F10N1L,LQ |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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TK160F10N1L Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | U-MOSVIII-H |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 160A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 80A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 122nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 10100pF @ 10V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 375W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | 175°C |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220SM(W) |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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