TK15A60D(STA4,Q,M)
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| Numero parte | TK15A60D(STA4,Q,M) |
| PNEDA Part # | TK15A60D-STA4-Q-M |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 15A TO-220SIS |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.758 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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TK15A60D(STA4 Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | TK15A60D(STA4,Q,M) |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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TK15A60D(STA4 Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | π-MOSVII |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 370mOhm @ 7.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 50W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220SIS |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 Full Pack |
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Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 1A, 4V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 335pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore ES6 (1.6x1.6) Pacchetto / Custodia SOT-563, SOT-666 |
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