TJ80S04M3L(T6L1,NQ
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| Numero parte | TJ80S04M3L(T6L1,NQ |
| PNEDA Part # | TJ80S04M3L-T6L1-NQ |
| Descrizione | MOSFET P-CH 40V 80A DPAK-3 |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.616 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 17 - giu 22 (Scegli Spedizione rapida) |
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TJ80S04M3L(T6L1 Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | TJ80S04M3L(T6L1,NQ |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
TJ80S04M3L(T6L1, TJ80S04M3L(T6L1 Datasheet
(Totale pagine: 9, Dimensioni: 237,39 KB)
  
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TJ80S04M3L(T6L1 Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | U-MOSVI |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 40A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 158nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | +10V, -20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7770pF @ 10V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 100W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK+ |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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