TJ15P04M3,RQ(S
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| Numero parte | TJ15P04M3,RQ(S |
| PNEDA Part # | TJ15P04M3-RQ-S |
| Descrizione | MOSFET P-CH 40V 15A DPAK-3 |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.644 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 8 - giu 13 (Scegli Spedizione rapida) |
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TJ15P04M3 Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | TJ15P04M3,RQ(S |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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TJ15P04M3 Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | U-MOSVI |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 7.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 10V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 29W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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