TH58NVG2S3HTAI0
Solo per riferimento
| Numero parte | TH58NVG2S3HTAI0 |
| PNEDA Part # | TH58NVG2S3HTAI0 |
| Descrizione | IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I |
| Produttore | Toshiba Memory America, Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.750 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 16 - giu 21 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
TH58NVG2S3HTAI0 Risorse
| Brand | Toshiba Memory America, Inc. |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | TH58NVG2S3HTAI0 |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
TH58NVG2S3HTAI0, TH58NVG2S3HTAI0 Datasheet
(Totale pagine: 2, Dimensioni: 538,77 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- TH58NVG2S3HTAI0 Datasheet
- where to find TH58NVG2S3HTAI0
- Toshiba Memory America, Inc.
- Toshiba Memory America, Inc. TH58NVG2S3HTAI0
- TH58NVG2S3HTAI0 PDF Datasheet
- TH58NVG2S3HTAI0 Stock
- TH58NVG2S3HTAI0 Pinout
- Datasheet TH58NVG2S3HTAI0
- TH58NVG2S3HTAI0 Supplier
- Toshiba Memory America, Inc. Distributor
- TH58NVG2S3HTAI0 Price
- TH58NVG2S3HTAI0 Distributor
TH58NVG2S3HTAI0 Specifiche
| Produttore | Toshiba Memory America, Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NAND (SLC) |
| Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 25ns |
| Tempo di accesso | 25ns |
| Tensione - Alimentazione | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TSOP I |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie MoBL® Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria 1Mb (64K x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 55ns Tempo di accesso 55ns Tensione - Alimentazione 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 44-TSOP II |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, QDR II Dimensione della memoria 36Mb (4M x 9) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 267MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 165-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore 165-FBGA (15x17) |
Produttore Renesas Electronics America Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM Dimensione della memoria 8Mb (1M x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 55ns Tempo di accesso 55ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 44-TSOP II |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie e.MMC 1B1 Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NAND Dimensione della memoria 8Gb (1G x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -25°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 100-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore 100-LBGA (14x18) |
Produttore Microchip Technology Serie SST39 MPF™ Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH Dimensione della memoria 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 10µs Tempo di accesso 70ns Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 48-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 48-WFBGA (6x4) |
