TC58NYG1S3HBAI4
Solo per riferimento
| Numero parte | TC58NYG1S3HBAI4 |
| PNEDA Part # | TC58NYG1S3HBAI4 |
| Descrizione | 2G NAND SLC 24NM BGA |
| Produttore | Toshiba Memory America, Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.180 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
TC58NYG1S3HBAI4 Risorse
| Brand | Toshiba Memory America, Inc. |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | TC58NYG1S3HBAI4 |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- TC58NYG1S3HBAI4 Datasheet
- where to find TC58NYG1S3HBAI4
- Toshiba Memory America, Inc.
- Toshiba Memory America, Inc. TC58NYG1S3HBAI4
- TC58NYG1S3HBAI4 PDF Datasheet
- TC58NYG1S3HBAI4 Stock
- TC58NYG1S3HBAI4 Pinout
- Datasheet TC58NYG1S3HBAI4
- TC58NYG1S3HBAI4 Supplier
- Toshiba Memory America, Inc. Distributor
- TC58NYG1S3HBAI4 Price
- TC58NYG1S3HBAI4 Distributor
TC58NYG1S3HBAI4 Specifiche
| Produttore | Toshiba Memory America, Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NAND (SLC) |
| Dimensione della memoria | 2Gb (256M x 8) |
| Interfaccia di memoria | - |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 25ns |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 1.7V ~ 1.95V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 63-VFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 63-TFBGA (9x11) |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria NVSRAM Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Dimensione della memoria 8Mb (1M x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 70ns Tempo di accesso 70ns Tensione - Alimentazione 4.75V ~ 5.5V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 36-DIP Module (0.610", 15.49mm) Pacchetto dispositivo fornitore 36-DIP Module (18.42x52.96) |
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - Mobile Dimensione della memoria 256Mb (8M x 32) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 5.4ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 90-TFBGA (8x13) |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie MoBL® Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 45ns Tempo di accesso 45ns Tensione - Alimentazione 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 48-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 48-VFBGA (6x8) |
Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia DRAM Dimensione della memoria 576Mb (64M x 9) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 20ns Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 144-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 144-µBGA (18.5x11) |
Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 4.2ns Tensione - Alimentazione 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore 100-TQFP (14x14) |
