TC4425COE
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| Numero parte | TC4425COE |
| PNEDA Part # | TC4425COE |
| Descrizione | IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 16-SOIC |
| Produttore | Microchip Technology |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.438 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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TC4425COE Risorse
| Brand | Microchip Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | TC4425COE |
| Categoria | Semiconduttori › CI di gestione dell'alimentazione › PMIC - Gate driver |
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TC4425COE Specifiche
| Produttore | Microchip Technology |
| Serie | - |
| Configurazione guidata | Low-Side |
| Tipo di canale | Independent |
| Numero di driver | 2 |
| Tipo di porta | N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Tensione - Alimentazione | 4.5V ~ 18V |
| Tensione logica - VIL, VIH | 0.8V, 2.4V |
| Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) | 3A, 3A |
| Tipo di ingresso | Inverting, Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | - |
| Tempo di salita / discesa (tipico) | 23ns, 25ns |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 16-SOIC |
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Produttore Serie - Configurazione guidata High-Side Tipo di canale Independent Numero di driver 4 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 7V ~ 28V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 3A, 3A Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Tempo di salita / discesa (tipico) - Temperatura di esercizio -25°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 20-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 20-DIP |
Produttore Microchip Technology Serie - Configurazione guidata Low-Side Tipo di canale Single Numero di driver 1 Tipo di porta IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 18V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 12A, 12A Tipo di ingresso Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Tempo di salita / discesa (tipico) 25ns, 25ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-WFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 8-TDFN (2x3) |
Produttore Microchip Technology Serie - Configurazione guidata High-Side or Low-Side Tipo di canale Synchronous Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel, P-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 18V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 9A, 9A Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Tempo di salita / discesa (tipico) 22ns, 22ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore Monolithic Power Systems Inc. Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 9V ~ 18V Tensione logica - VIL, VIH 1V, 2.4V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 2.5A, 2.5A Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 120V Tempo di salita / discesa (tipico) 12ns, 9ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 9-VFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 9-QFN (3x3) |
Produttore ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q100 Configurazione guidata High-Side Tipo di canale Single Numero di driver 1 Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 10V ~ 20V Tensione logica - VIL, VIH - Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 200mA, 400mA Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Tempo di salita / discesa (tipico) 200ns, 25ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
