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TB10S-G

TB10S-G

Solo per riferimento

Numero parte TB10S-G
PNEDA Part # TB10S-G
Descrizione BRIDGE RECT 1P 1KV 800MA 4TBS
Produttore Comchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.118
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 20 - giu 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

TB10S-G Risorse

Brand Comchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteTB10S-G
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori a ponte
Datasheet
TB10S-G, TB10S-G Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 95,09 KB)
PDFTB8S-G Datasheet Copertura
TB8S-G Datasheet Pagina 2 TB8S-G Datasheet Pagina 3 TB8S-G Datasheet Pagina 4

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TB10S-G Specifiche

ProduttoreComchip Technology
Serie-
Tipo di diodoSingle Phase
TecnologiaStandard
Tensione - Picco inverso (Max)1kV
Corrente - Media Rettificata (Io)800mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If950mV @ 400mA
Corrente - Perdita inversa @ Vr10µA @ 1000V
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia4-SMD, Gull Wing
Pacchetto dispositivo fornitore4-TBS

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Tensione - Picco inverso (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

15A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

950mV @ 7.5A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 200V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, GSIB-5S

Pacchetto dispositivo fornitore

GSIB-5S

Produttore

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Serie

-

Tipo di diodo

Three Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

86A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.57V @ 30A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

250µA @ 600V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

ECO-PAC1

Pacchetto dispositivo fornitore

ECO-PAC1

GBU6J-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3.8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 6A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 600V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, GBU

Pacchetto dispositivo fornitore

GBU

BU1006A-M3/45

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Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 5A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 600V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, BU

Pacchetto dispositivo fornitore

isoCINK+™ BU

GBJ2508-03-G

Comchip Technology

Produttore

Comchip Technology

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

25A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 12.5A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 800V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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