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TAN150

TAN150

Solo per riferimento

Numero parte TAN150
PNEDA Part # TAN150
Descrizione RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AT
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.272
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 16 - giu 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

TAN150 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteTAN150
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF

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TAN150 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)55V
Frequenza - Transizione960MHz ~ 1.215GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno7dB
Potenza - Max583W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce10 @ 1A, 5V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)15A
Temperatura di esercizio200°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / Custodia55AT
Pacchetto dispositivo fornitore55AT

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Produttore

Broadcom Limited

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz

Guadagno

9dB ~ 15.5dB

Potenza - Max

225mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-70-3

2N4957UB

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3.5dB @ 450MHz

Guadagno

25dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

3-SMD, No Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

UB

RX1214B300Y,114

Ampleon

Produttore

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Frequenza - Transizione

1.4GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8dB

Potenza - Max

570W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

21A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-439A

Pacchetto dispositivo fornitore

CDFM2

MS1509

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

33V

Frequenza - Transizione

500MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

5.5dBi

Potenza - Max

260W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 1mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

15A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M168

Pacchetto dispositivo fornitore

M168

ZTX325STOB

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

1.3GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

5dB @ 500MHz

Guadagno

53dB

Potenza - Max

350mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 2mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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