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SUM90P10-19-E3

SUM90P10-19-E3

Solo per riferimento

Numero parte SUM90P10-19-E3
PNEDA Part # SUM90P10-19-E3
Descrizione MOSFET P-CH 100V 90A D2PAK
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.820
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SUM90P10-19-E3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSUM90P10-19-E3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
SUM90P10-19-E3, SUM90P10-19-E3 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 112,04 KB)
PDFSUM90P10-19-E3 Datasheet Copertura
SUM90P10-19-E3 Datasheet Pagina 2 SUM90P10-19-E3 Datasheet Pagina 3 SUM90P10-19-E3 Datasheet Pagina 4 SUM90P10-19-E3 Datasheet Pagina 5 SUM90P10-19-E3 Datasheet Pagina 6

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SUM90P10-19-E3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C90A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs19mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs330nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds12000pF @ 50V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)13.6W (Ta), 375W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-263 (D2Pak)
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

55A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

18V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

52mOhm @ 20A, 18V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.6V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

107nC @ 18V

Vgs (massimo)

+22V, -4V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1337pF @ 800V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

262W

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247N

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

NVATS4A101PZT4G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

27A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18.5nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

875pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

36W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

ATPAK

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SI8457DB-T1-E1

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

93nC @ 8V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2900pF @ 6V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.1W (Ta), 2.7W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)

Pacchetto / Custodia

4-UFBGA

94-4582

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

31A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.8W (Ta), 110W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

66A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

42mOhm @ 33A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5508pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

446W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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