STW58N65DM2AG
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| Numero parte | STW58N65DM2AG |
| PNEDA Part # | STW58N65DM2AG |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 48A |
| Produttore | STMicroelectronics |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 16.704 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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STW58N65DM2AG Risorse
| Brand | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | STW58N65DM2AG |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
STW58N65DM2AG, STW58N65DM2AG Datasheet
(Totale pagine: 13, Dimensioni: 282,05 KB)
  
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STW58N65DM2AG Specifiche
| Produttore | STMicroelectronics |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 48A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 24A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 88nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±25V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4100pF @ 100V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 360W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
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