Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

STW36NM60ND

STW36NM60ND

Solo per riferimento

Numero parte STW36NM60ND
PNEDA Part # STW36NM60ND
Descrizione MOSFET N-CH 600V 29A TO-247
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.266
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 5 - mag 10 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

STW36NM60ND Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTW36NM60ND
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
STW36NM60ND, STW36NM60ND Datasheet (Totale pagine: 18, Dimensioni: 386,29 KB)
PDFSTW36NM60ND Datasheet Copertura
STW36NM60ND Datasheet Pagina 2 STW36NM60ND Datasheet Pagina 3 STW36NM60ND Datasheet Pagina 4 STW36NM60ND Datasheet Pagina 5 STW36NM60ND Datasheet Pagina 6 STW36NM60ND Datasheet Pagina 7 STW36NM60ND Datasheet Pagina 8 STW36NM60ND Datasheet Pagina 9 STW36NM60ND Datasheet Pagina 10 STW36NM60ND Datasheet Pagina 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • STW36NM60ND Datasheet
  • where to find STW36NM60ND
  • STMicroelectronics

  • STMicroelectronics STW36NM60ND
  • STW36NM60ND PDF Datasheet
  • STW36NM60ND Stock

  • STW36NM60ND Pinout
  • Datasheet STW36NM60ND
  • STW36NM60ND Supplier

  • STMicroelectronics Distributor
  • STW36NM60ND Price
  • STW36NM60ND Distributor

STW36NM60ND Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SerieAutomotive, AEC-Q101, FDmesh™ II
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C29A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs110mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs80.4nC @ 10V
Vgs (massimo)±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2785pF @ 50V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)190W (Tc)
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247
Pacchetto / CustodiaTO-247-3

I prodotti a cui potresti essere interessato

BVSS138LT3G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

*

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Pacchetto / Custodia

-

NTMFS4C53NT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

2N6661JAN02

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

90V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

860mA (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

725mW (Ta), 6.25W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-39

Pacchetto / Custodia

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

IRF7421D1TRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

FETKY™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.8A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

510pF @ 25V

Funzione FET

Schottky Diode (Isolated)

Dissipazione di potenza (max)

2W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IPB038N12N3GATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

120V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 270µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

211nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

13800pF @ 60V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

300W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D²PAK (TO-263AB)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Venduto di recente

ZLLS400TA

ZLLS400TA

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 40V 520MA SOD323

LTST-C150CKT

LTST-C150CKT

Lite-On Inc.

LED RED CLEAR 1206 SMD

ST16C2552IJ44TR-F

ST16C2552IJ44TR-F

MaxLinear, Inc.

IC UART FIFO 16B DUAL 44PLCC

GQM1555C2D3R3CB01D

GQM1555C2D3R3CB01D

Murata

CAP CER 3.3PF 200V NP0 0402

LTST-C171GKT

LTST-C171GKT

Lite-On Inc.

LED GREEN CLEAR CHIP SMD

S29AL016J70TFI020

S29AL016J70TFI020

Cypress Semiconductor

IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP

NHD-0420CW-AW3

NHD-0420CW-AW3

Newhaven Display Intl

4X20 WHITE SLIM CHARACTER OLED

150040RS73240

150040RS73240

Wurth Electronics

LED RED CLEAR 0402 SMD

IS34ML01G081-TLI-TR

IS34ML01G081-TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

MT41J128M16JT-093:K

MT41J128M16JT-093:K

Micron Technology Inc.

IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

L7924CV

L7924CV

STMicroelectronics

IC REG LINEAR -24V 1.5A TO220AB

XC7K70T-2FBG484I

XC7K70T-2FBG484I

Xilinx

IC FPGA 285 I/O 484FCBGA