STU75N3LLH6-S
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| Numero parte | STU75N3LLH6-S |
| PNEDA Part # | STU75N3LLH6-S |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 75A IPAK |
| Produttore | STMicroelectronics |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.146 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 17 - lug 22 (Scegli Spedizione rapida) |
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STU75N3LLH6-S Risorse
| Brand | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | STU75N3LLH6-S |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
STU75N3LLH6-S, STU75N3LLH6-S Datasheet
(Totale pagine: 21, Dimensioni: 1.110,28 KB)
  
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STU75N3LLH6-S Specifiche
| Produttore | STMicroelectronics |
| Serie | DeepGATE™, STripFET™ VI |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.9mOhm @ 37.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1690pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 60W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | I-PAK |
| Pacchetto / Custodia | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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