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STP3LN80K5

STP3LN80K5

Solo per riferimento

Numero parte STP3LN80K5
PNEDA Part # STP3LN80K5
Descrizione MOSFET N-CHANNEL 800V 2A TO220
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 17.832
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 18 - lug 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

STP3LN80K5 Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTP3LN80K5
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
STP3LN80K5, STP3LN80K5 Datasheet (Totale pagine: 15, Dimensioni: 800,42 KB)
PDFSTP3LN80K5 Datasheet Copertura
STP3LN80K5 Datasheet Pagina 2 STP3LN80K5 Datasheet Pagina 3 STP3LN80K5 Datasheet Pagina 4 STP3LN80K5 Datasheet Pagina 5 STP3LN80K5 Datasheet Pagina 6 STP3LN80K5 Datasheet Pagina 7 STP3LN80K5 Datasheet Pagina 8 STP3LN80K5 Datasheet Pagina 9 STP3LN80K5 Datasheet Pagina 10 STP3LN80K5 Datasheet Pagina 11

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STP3LN80K5 Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SerieMDmesh™ K5
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.25Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.63nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds102pF @ 100V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)45W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220
Pacchetto / CustodiaTO-220-3

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Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

125V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.5A (Ta), 31A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29.8mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15.3nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

535pF @ 62.5V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

5.1W (Ta), 65.8W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® 1212-8S

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

24A (Ta), 100A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.9mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 75µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4100pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3W (Ta), 136W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO262-3

Pacchetto / Custodia

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

FDB2552

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A (Ta), 37A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

51nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2800pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

150W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

BSZ100N06NSATMA1

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Produttore

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Serie

OptiMOS™

Tipo FET

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Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.3V @ 14µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

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Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

0V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 100mA, 0V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

+0.6V, -12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

46pF @ 5V

Funzione FET

Depletion Mode

Dissipazione di potenza (max)

360mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

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