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STP12NK60Z

STP12NK60Z

Solo per riferimento

Numero parte STP12NK60Z
PNEDA Part # STP12NK60Z
Descrizione MOSFET N-CH 600V 10A TO220
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.754
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 13 - mag 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

STP12NK60Z Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTP12NK60Z
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
STP12NK60Z, STP12NK60Z Datasheet (Totale pagine: 15, Dimensioni: 833,56 KB)
PDFSTW12NK60Z Datasheet Copertura
STW12NK60Z Datasheet Pagina 2 STW12NK60Z Datasheet Pagina 3 STW12NK60Z Datasheet Pagina 4 STW12NK60Z Datasheet Pagina 5 STW12NK60Z Datasheet Pagina 6 STW12NK60Z Datasheet Pagina 7 STW12NK60Z Datasheet Pagina 8 STW12NK60Z Datasheet Pagina 9 STW12NK60Z Datasheet Pagina 10 STW12NK60Z Datasheet Pagina 11

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STP12NK60Z Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SerieSuperMESH™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C10A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs640mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs59nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1740pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)150W (Tc)
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB
Pacchetto / CustodiaTO-220-3

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

75A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

87nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4352pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

200W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

5HP01C-TB-E

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

3-CP

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

FDME910PZT

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2110pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.1W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

MicroFet 1.6x1.6 Thin

Pacchetto / Custodia

6-PowerUFDFN

NTLJS1102PTAG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

8V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.7A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 6.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

720mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±6V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1585pF @ 4V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

700mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

6-WDFN (2x2)

Pacchetto / Custodia

6-WDFN Exposed Pad

CSD25480F3T

Texas Instruments

Produttore

Serie

FemtoFET™

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.7A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 8V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

132mOhm @ 400mA, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.91nC @ 10V

Vgs (massimo)

-12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

155pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

500mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

3-PICOSTAR

Pacchetto / Custodia

3-XFDFN

Venduto di recente

TNY278PN

TNY278PN

Power Integrations

IC OFFLINE SWIT OVP OTP HV 8DIP

MC74HCT04AD

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ON Semiconductor

IC INVERTER 6CH 6-INP 14SOIC

WSL25125L000FTA

WSL25125L000FTA

Vishay Dale

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Rohm Semiconductor

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IGBT MODULE 1200V 25A

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TVS DIODE 5V 15.5V SOD323

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Murata

FERRITE BEAD 220 OHM 0402 1LN

TDA04H0SB1

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C&K

SWITCH SLIDE DIP SPST 25MA 24V

MPX5500DP

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NXP

IC SENSOR PRESS GAUGE 75PSI RANG

MAX3387EEUG+T

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IC TRANSCEIVER FULL 3/3 24TSSOP

MCP1826-3302E/ET

MCP1826-3302E/ET

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0466.250NR

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FUSE BOARD MNT 250MA 125VAC/VDC