STP110N10F7
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Numero parte | STP110N10F7 |
PNEDA Part # | STP110N10F7 |
Descrizione | MOSFET N CH 100V 110A TO-220 |
Produttore | STMicroelectronics |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 3.690 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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STP110N10F7 Risorse
Brand | STMicroelectronics |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | STP110N10F7 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
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STP110N10F7 Specifiche
Produttore | STMicroelectronics |
Serie | DeepGATE™, STripFET™ VII |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 110A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 55A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5500pF @ 50V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 150W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
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