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STL62P3LLH6

STL62P3LLH6

Solo per riferimento

Numero parte STL62P3LLH6
PNEDA Part # STL62P3LLH6
Descrizione MOSFET P-CH 30V 62A 8POWERFLAT
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.946
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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STL62P3LLH6 Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTL62P3LLH6
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
STL62P3LLH6, STL62P3LLH6 Datasheet (Totale pagine: 16, Dimensioni: 1.167,81 KB)
PDFSTL62P3LLH6 Datasheet Copertura
STL62P3LLH6 Datasheet Pagina 2 STL62P3LLH6 Datasheet Pagina 3 STL62P3LLH6 Datasheet Pagina 4 STL62P3LLH6 Datasheet Pagina 5 STL62P3LLH6 Datasheet Pagina 6 STL62P3LLH6 Datasheet Pagina 7 STL62P3LLH6 Datasheet Pagina 8 STL62P3LLH6 Datasheet Pagina 9 STL62P3LLH6 Datasheet Pagina 10 STL62P3LLH6 Datasheet Pagina 11

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STL62P3LLH6 Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SerieSTripFET™ H6
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C62A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs10.5mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3350pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)100W (Tc)
Temperatura di esercizio175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePowerFlat™ (5x6)
Pacchetto / Custodia8-PowerVDFN

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

520mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2028pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

250W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

378mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

590pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

110W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

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Produttore

Serie

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Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 8V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

94mOhm @ 500mA, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.42nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

-12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

230pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

500mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

450V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

770mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

40W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Funzione FET

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