STL18N65M5
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| Numero parte | STL18N65M5 |
| PNEDA Part # | STL18N65M5 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V POWERFLAT5X6 |
| Produttore | STMicroelectronics |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 25.368 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 15 - lug 20 (Scegli Spedizione rapida) |
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STL18N65M5 Risorse
| Brand | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | STL18N65M5 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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STL18N65M5 Specifiche
| Produttore | STMicroelectronics |
| Serie | MDmesh™ V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240mOhm @ 7.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±25V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1240pF @ 100V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 57W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerFlat™ (5x6) |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerVDFN |
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Produttore Microsemi Corporation Serie CoolMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 143A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 71.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1036nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 28000pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 833W (Tc) Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore SP4 Pacchetto / Custodia SP4 |
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