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STL12N65M2

STL12N65M2

Solo per riferimento

Numero parte STL12N65M2
PNEDA Part # STL12N65M2
Descrizione MOSFET N-CH 650V 8.5A PWRFLAT56
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.456
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 6 - mag 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

STL12N65M2 Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTL12N65M2
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
STL12N65M2, STL12N65M2 Datasheet (Totale pagine: 15, Dimensioni: 460,09 KB)
PDFSTL12N65M2 Datasheet Copertura
STL12N65M2 Datasheet Pagina 2 STL12N65M2 Datasheet Pagina 3 STL12N65M2 Datasheet Pagina 4 STL12N65M2 Datasheet Pagina 5 STL12N65M2 Datasheet Pagina 6 STL12N65M2 Datasheet Pagina 7 STL12N65M2 Datasheet Pagina 8 STL12N65M2 Datasheet Pagina 9 STL12N65M2 Datasheet Pagina 10 STL12N65M2 Datasheet Pagina 11

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STL12N65M2 Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SerieMDmesh™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs750mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.5nC @ 10V
Vgs (massimo)±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds410pF @ 100V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)48W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePowerFlat™ (5x6) HV
Pacchetto / Custodia8-PowerVDFN

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1183pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

75W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

24A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

340mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

6.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

360nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

21000pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

520W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOPLUSi5-Pak™

Pacchetto / Custodia

ISOPLUSi5-Pak™

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

QFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

32A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1040pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

79W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

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Texas Instruments

Produttore

Serie

NexFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

200A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.3mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

156nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

12200pF @ 40V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

375W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

730mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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