STI11NM60ND
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Numero parte | STI11NM60ND |
PNEDA Part # | STI11NM60ND |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK |
Produttore | STMicroelectronics |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 4.950 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | giu 3 - giu 8 (Scegli Spedizione rapida) |
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STI11NM60ND Risorse
Brand | STMicroelectronics |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | STI11NM60ND |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
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STI11NM60ND Specifiche
Produttore | STMicroelectronics |
Serie | FDmesh™ II |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 850pF @ 50V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 90W (Tc) |
Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK |
Pacchetto / Custodia | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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