STH320N4F6-2
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| Numero parte | STH320N4F6-2 |
| PNEDA Part # | STH320N4F6-2 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-2 |
| Produttore | STMicroelectronics |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.508 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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STH320N4F6-2 Risorse
| Brand | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | STH320N4F6-2 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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STH320N4F6-2 Specifiche
| Produttore | STMicroelectronics |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 200A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3mOhm @ 80A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 240nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 13800pF @ 15V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | H²PAK |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant |
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Produttore Infineon Technologies Serie * Tipo FET - Tecnologia - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto dispositivo fornitore - Pacchetto / Custodia - |
Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9.5A (Ta), 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.4mOhm @ 9.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V Vgs (massimo) ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2865pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.3W (Ta), 36W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-MLP (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia 8-PowerWDFN |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 60A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.4mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.55V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1190pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 48W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D-Pak Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9.4A (Ta), 41A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 837pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.38W (Ta), 26.3W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore DPAK Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 400mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 430mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 175pF @ 16V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 250mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-323 Pacchetto / Custodia SC-70, SOT-323 |
