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STGYA120M65DF2

STGYA120M65DF2

Solo per riferimento

Numero parte STGYA120M65DF2
PNEDA Part # STGYA120M65DF2
Descrizione TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 11.172
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 30 - mag 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

STGYA120M65DF2 Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTGYA120M65DF2
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
STGYA120M65DF2, STGYA120M65DF2 Datasheet (Totale pagine: 17, Dimensioni: 987,19 KB)
PDFSTGYA120M65DF2 Datasheet Copertura
STGYA120M65DF2 Datasheet Pagina 2 STGYA120M65DF2 Datasheet Pagina 3 STGYA120M65DF2 Datasheet Pagina 4 STGYA120M65DF2 Datasheet Pagina 5 STGYA120M65DF2 Datasheet Pagina 6 STGYA120M65DF2 Datasheet Pagina 7 STGYA120M65DF2 Datasheet Pagina 8 STGYA120M65DF2 Datasheet Pagina 9 STGYA120M65DF2 Datasheet Pagina 10 STGYA120M65DF2 Datasheet Pagina 11

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STGYA120M65DF2 Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
Serie*
Tipo IGBTNPT, Trench Field Stop
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)650V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)160A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)360A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.95V @ 15V, 120A
Potenza - Max625W
Switching Energy1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge420nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C66ns/185ns
Condizione di test400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)202ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3 Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitoreMAX247™

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

IXYS

Serie

GenX3™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

92A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 30A

Potenza - Max

250W

Switching Energy

540µJ (on), 800µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

80nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

19ns/125ns

Condizione di test

400V, 30A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD (IXGH)

APT150GN60LDQ4G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

220A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

450A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 150A

Potenza - Max

536W

Switching Energy

8.81mJ (on), 4.295mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

970nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

44ns/430ns

Condizione di test

400V, 150A, 1Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264 [L]

IHW40N60RFFKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

Potenza - Max

305W

Switching Energy

560µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

220nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-/175ns

Condizione di test

400V, 40A, 5.6Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO247-3

IKP40N65H5XKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

74A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

Potenza - Max

255W

Switching Energy

390µJ (on), 120µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

95nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

22ns/165ns

Condizione di test

400V, 20A, 15Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

62ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-3

IRGP4620DPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

32A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

36A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 12A

Potenza - Max

140W

Switching Energy

75µJ (on), 225µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

25nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

31ns/83ns

Condizione di test

400V, 12A, 22Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

68ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AC

Venduto di recente

MT25QL256ABA8ESF-0SIT

MT25QL256ABA8ESF-0SIT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOP2

IS61WV25616BLL-10TLI

IS61WV25616BLL-10TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

SD1127

SD1127

Microsemi

RF TRANS NPN 18V 175MHZ TO39

BLM18PG121SN1D

BLM18PG121SN1D

Murata

FERRITE BEAD 120 OHM 0603 1LN

EN63A0QI

EN63A0QI

Intel

DC DC CONVERTER 0.6-5.4V 65W

APE30024

APE30024

Panasonic Electric Works

RELAY GEN PURPOSE SPDT 6A 24V

NFM21CC223R1H3D

NFM21CC223R1H3D

Murata

CAP FEEDTHRU 0.022UF 50V 0805

ISL68137IRAZ-T7A

ISL68137IRAZ-T7A

Renesas Electronics America Inc.

IC REG CTRLR PMBUS 48QFN

PIC18F6390-I/PT

PIC18F6390-I/PT

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 8KB FLASH 64TQFP

LQW2BHN22NJ03L

LQW2BHN22NJ03L

Murata

FIXED IND 22NH 720MA 90 MOHM SMD

IRF7811ATRPBF

IRF7811ATRPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 28V 11A 8-SOIC

FM24W256-GTR

FM24W256-GTR

Cypress Semiconductor

IC FRAM 256K I2C 1MHZ 8SOIC