STGW80H65DFB-4
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| Numero parte | STGW80H65DFB-4 |
| PNEDA Part # | STGW80H65DFB-4 |
| Descrizione | IGBT BIPO 650V 80A TO247 |
| Produttore | STMicroelectronics |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.438 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 5 - giu 10 (Scegli Spedizione rapida) |
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STGW80H65DFB-4 Risorse
| Brand | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | STGW80H65DFB-4 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
STGW80H65DFB-4, STGW80H65DFB-4 Datasheet
(Totale pagine: 16, Dimensioni: 931,42 KB)
  
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STGW80H65DFB-4 Specifiche
| Produttore | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 650V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 120A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 240A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 80A |
| Potenza - Max | 469W |
| Switching Energy | 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 414nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 84ns/280ns |
| Condizione di test | 400V, 80A, 10Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 85ns |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-4 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-4L |
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