STGW30M65DF2
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Numero parte | STGW30M65DF2 |
PNEDA Part # | STGW30M65DF2 |
Descrizione | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE |
Produttore | STMicroelectronics |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 6.744 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | mag 12 - mag 17 (Scegli Spedizione rapida) |
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STGW30M65DF2 Risorse
Brand | STMicroelectronics |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | STGW30M65DF2 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
Datasheet |
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STGW30M65DF2 Specifiche
Produttore | STMicroelectronics |
Serie | - |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 650V |
Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 60A |
Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 120A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 30A |
Potenza - Max | 258W |
Switching Energy | 300µJ (on), 960µJ (off) |
Tipo di ingresso | Standard |
Gate Charge | 80nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 31.6ns/115ns |
Condizione di test | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 140ns |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
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