STGD5NB120SZ-1
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| Numero parte | STGD5NB120SZ-1 |
| PNEDA Part # | STGD5NB120SZ-1 |
| Descrizione | IGBT 1200V 10A 75W IPAK |
| Produttore | STMicroelectronics |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 53.454 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 6 - lug 11 (Scegli Spedizione rapida) |
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STGD5NB120SZ-1 Risorse
| Brand | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | STGD5NB120SZ-1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
STGD5NB120SZ-1, STGD5NB120SZ-1 Datasheet
(Totale pagine: 15, Dimensioni: 395,13 KB)
  
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STGD5NB120SZ-1 Specifiche
| Produttore | STMicroelectronics |
| Serie | PowerMESH™ |
| Tipo IGBT | - |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 10A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 10A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 5A |
| Potenza - Max | 75W |
| Switching Energy | 2.59mJ (on), 9mJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | - |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 690ns/12.1µs |
| Condizione di test | 960V, 5A, 1kOhm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | I-PAK |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Corrente - Collettore Pulsato (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 5A Potenza - Max - Switching Energy - Tipo di ingresso Standard Gate Charge 30nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 20ns/160ns Condizione di test 600V, 5A, 47Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia Die Pacchetto dispositivo fornitore Die |
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