STGB5H60DF
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| Numero parte | STGB5H60DF |
| PNEDA Part # | STGB5H60DF |
| Descrizione | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S |
| Produttore | STMicroelectronics |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 14.988 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida) |
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STGB5H60DF Risorse
| Brand | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | STGB5H60DF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
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STGB5H60DF Specifiche
| Produttore | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 600V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 10A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 20A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 5A |
| Potenza - Max | 88W |
| Switching Energy | 56µJ (on), 78.5µJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 43nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 30ns/140ns |
| Condizione di test | 400V, 5A, 47Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 134.5ns |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) - Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Corrente - Collettore Pulsato (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Potenza - Max - Switching Energy - Tipo di ingresso - Gate Charge - Td (acceso / spento) @ 25 ° C - Condizione di test - Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 22A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 44A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 12A Potenza - Max 66W Switching Energy 190µJ (on), 920µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 27nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 26ns/194ns Condizione di test 480V, 12A, 50Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore D-Pak |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo IGBT Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 30A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 15A Potenza - Max 294W Switching Energy 1.2mJ (on), 370µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 109nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 64ns/128ns Condizione di test 600V, 15A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247-3 |
