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STGB10H60DF

STGB10H60DF

Solo per riferimento

Numero parte STGB10H60DF
PNEDA Part # STGB10H60DF
Descrizione IGBT 600V 20A 115W D2PAK
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 12.246
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 8 - giu 13 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

STGB10H60DF Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTGB10H60DF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
STGB10H60DF, STGB10H60DF Datasheet (Totale pagine: 24, Dimensioni: 1.730,11 KB)
PDFSTGF10H60DF Datasheet Copertura
STGF10H60DF Datasheet Pagina 2 STGF10H60DF Datasheet Pagina 3 STGF10H60DF Datasheet Pagina 4 STGF10H60DF Datasheet Pagina 5 STGF10H60DF Datasheet Pagina 6 STGF10H60DF Datasheet Pagina 7 STGF10H60DF Datasheet Pagina 8 STGF10H60DF Datasheet Pagina 9 STGF10H60DF Datasheet Pagina 10 STGF10H60DF Datasheet Pagina 11

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STGB10H60DF Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)20A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)40A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.95V @ 15V, 10A
Potenza - Max115W
Switching Energy83µJ (on), 140µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge57nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C19.5ns/103ns
Condizione di test400V, 10A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)107ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1000V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 60A

Potenza - Max

180W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

275nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

140ns/630ns

Condizione di test

600V, 60A, 51Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

1.2µs

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264-3

IKQ75N120CH3XKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 75A

Potenza - Max

938W

Switching Energy

6.4mJ (on), 2.8mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

370nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

34ns/282ns

Condizione di test

600V, 75A, 6Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO247-3-46

Produttore

IXYS

Serie

BIMOSFET™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

16A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 10A

Potenza - Max

150W

Switching Energy

2.5mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

65nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

15ns/250ns

Condizione di test

1360V, 10A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

25ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263HV

SGP30N60XKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

41A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

112A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 30A

Potenza - Max

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Switching Energy

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Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

140nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

44ns/291ns

Condizione di test

400V, 30A, 11Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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