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STFW2N105K5

STFW2N105K5

Solo per riferimento

Numero parte STFW2N105K5
PNEDA Part # STFW2N105K5
Descrizione MOSFET N-CH 1050V 2A TO-3PF
Produttore STMicroelectronics
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Disponibile 7.038
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

STFW2N105K5 Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTFW2N105K5
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
STFW2N105K5, STFW2N105K5 Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 860,78 KB)
PDFSTFW2N105K5 Datasheet Copertura
STFW2N105K5 Datasheet Pagina 2 STFW2N105K5 Datasheet Pagina 3 STFW2N105K5 Datasheet Pagina 4 STFW2N105K5 Datasheet Pagina 5 STFW2N105K5 Datasheet Pagina 6 STFW2N105K5 Datasheet Pagina 7 STFW2N105K5 Datasheet Pagina 8 STFW2N105K5 Datasheet Pagina 9 STFW2N105K5 Datasheet Pagina 10 STFW2N105K5 Datasheet Pagina 11

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STFW2N105K5 Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SerieSuperMESH5™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)1050V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs8Ohm @ 750mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 10V
Vgs (massimo)30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds115pF @ 100V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)30W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreISOWATT-218FX
Pacchetto / CustodiaISOWATT218FX

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

250V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

630mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.1Ohm @ 380mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

260pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Pacchetto / Custodia

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

51A (Tj)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.7mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.15V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14.8nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

726pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

49W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

LFPAK56, Power-SO8

Pacchetto / Custodia

SC-100, SOT-669

SIHD3N50D-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.2Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

175pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

69W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252AA

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SSM3J327R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVI

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.9A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

93mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.6nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

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Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

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Dissipazione di potenza (max)

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Tipo di montaggio

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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