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STF21N65M5

STF21N65M5

Solo per riferimento

Numero parte STF21N65M5
PNEDA Part # STF21N65M5
Descrizione MOSFET N-CH 650V 17A TO-220FP
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 9.504
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

STF21N65M5 Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTF21N65M5
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
STF21N65M5, STF21N65M5 Datasheet (Totale pagine: 22, Dimensioni: 1.433,1 KB)
PDFSTB21N65M5 Datasheet Copertura
STB21N65M5 Datasheet Pagina 2 STB21N65M5 Datasheet Pagina 3 STB21N65M5 Datasheet Pagina 4 STB21N65M5 Datasheet Pagina 5 STB21N65M5 Datasheet Pagina 6 STB21N65M5 Datasheet Pagina 7 STB21N65M5 Datasheet Pagina 8 STB21N65M5 Datasheet Pagina 9 STB21N65M5 Datasheet Pagina 10 STB21N65M5 Datasheet Pagina 11

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STF21N65M5 Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SerieMDmesh™ V
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C17A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs190mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50nC @ 10V
Vgs (massimo)±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1950pF @ 100V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)30W (Tc)
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220FP
Pacchetto / CustodiaTO-220-3 Full Pack

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

86A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.2mOhm @ 86A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 30µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

37nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2960pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

65W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO252-3-313

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SQD50P04-09L_GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.4mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

155nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6675pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

136W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252, (D-Pak)

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

PMPB25ENEX

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

*

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DFN2020MD-6

Pacchetto / Custodia

6-UDFN Exposed Pad

C3M0016120K

Cree/Wolfspeed

Produttore

Cree/Wolfspeed

Serie

C3M™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

SiCFET (Silicon Carbide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1.2kV

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

115A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

15V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22.3mOhm @ 75A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.6V @ 23mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

211nC @ 15V

Vgs (massimo)

+15V, -4V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6085pF @ 1000V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

556W (Tc)

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-4

Pacchetto / Custodia

TO-247-4

IRFHM4231TRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.4mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 35µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1270pF @ 13V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.7W (Ta), 29W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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