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STD4N62K3

STD4N62K3

Solo per riferimento

Numero parte STD4N62K3
PNEDA Part # STD4N62K3
Descrizione MOSFET N-CH 620V 3.8A DPAK
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.086
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 18 - mag 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

STD4N62K3 Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTD4N62K3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
STD4N62K3, STD4N62K3 Datasheet (Totale pagine: 20, Dimensioni: 434,79 KB)
PDFSTD4N62K3 Datasheet Copertura
STD4N62K3 Datasheet Pagina 2 STD4N62K3 Datasheet Pagina 3 STD4N62K3 Datasheet Pagina 4 STD4N62K3 Datasheet Pagina 5 STD4N62K3 Datasheet Pagina 6 STD4N62K3 Datasheet Pagina 7 STD4N62K3 Datasheet Pagina 8 STD4N62K3 Datasheet Pagina 9 STD4N62K3 Datasheet Pagina 10 STD4N62K3 Datasheet Pagina 11

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STD4N62K3 Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SerieSuperMESH3™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)620V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.8A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.95Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds450pF @ 50V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)70W (Tc)
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

13A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.7W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SO-8

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® SO-8

BSC070N10NS5ATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.8V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2700pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 83W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TDSON-8-7

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

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Produttore

IXYS

Serie

HiPerFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

550V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

36A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

128nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4500pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

500W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

TO-247-3

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Pacchetto / Custodia

-

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Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

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Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (Max) @ Id

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